Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
| Характеристики | |
| Цвет | зеленый |
| Тип | DDR4 DIMM Registered |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| ECC | есть |
| PC-индекс | PC4-25600 |
| Набор | 1 модуль |
| Общий объем | 64 ГБ |
| Частота | 3200 МГц |
| Низкопрофильный модуль | нет |
| Охлаждение | нет |
| Подсветка элементов платы | нет |
| Профили XMP | нет |
| Ёмкость микросхем | 4 Гбит |
| Количество ранков | 2 |
| Расположение чипов | двустороннее |
| Тип микросхем | 4Gx4 |
| Число микросхем | 36 |
Похожие
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В..
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В..
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.25 В..
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В..
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В..
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В..
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В..
1 модуль, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В..
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В..
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-44-44, напряжение 1.35 В..
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В..
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В..
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В..
4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В..
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В..